英特爾、東芝和美光已宣布他們正在開發 3D NAND 閃存，其容量遠高於目前的 NAND。
這種新的快閃記憶體技術被稱為與非3D或垂直，將允許更大數量的記憶體儲存在空間更減少了。這種技術將能夠用於便攜式設備，從而受益於更好的性能。
快閃記憶體呈現新的維度
目前，快閃記憶體以平面方式設計，將單元彼此相鄰放置。新的 3D NAND 技術允許記憶體模組垂直堆疊。這種技術可以讓你在更小的空間裡累積更多的記憶體。因此，將有可能創建更高容量的 SSD 驅動器，並為智慧型手機和平板電腦提供更大容量的快閃記憶體（目前僅限於 128GB）。另一方面，這些設備的性能將會提高，因為記憶體模組的垂直排列允許它們之間更快的資訊流動。
美光科技記憶體技術和解決方案副總裁 Brian Shirley 就此主題發表了演講：“英特爾和美光的合作創造了 SSD 儲存技術，在當今市場上提供無與倫比的性能和效率”。然後他補充道：「這種 3D NAND 技術有潛力成為市場上真正的遊戲規則改變者。快閃記憶體對智慧型手機或高效能運算等領域的重大影響只是一個開始。 »
英特爾和美光應該會在 2015 年最後一個季度開始生產這些新的 NAND。
